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固體所在高壓調(diào)控氧化鉿結(jié)構(gòu)相變和電學(xué)性質(zhì)方面取得新進展

中國科學(xué)院合肥物質(zhì)院固體所 2025-03-11
近期,中國科學(xué)院合肥物質(zhì)院固體所聯(lián)合西南交通大學(xué)等,結(jié)合高壓電輸運實驗、高壓拉曼實驗和第一性原理計算,揭示了氧化鉿(HfO2)在高壓下的結(jié)構(gòu)相變規(guī)律及其電學(xué)性質(zhì)演化機制,解決了此前關(guān)于HfO2在低壓區(qū)的相變爭議。相關(guān)結(jié)果以“Structural and electrical properties of HfO2?at high pressure”為題發(fā)表在Physical Review B?(Phys. Rev. B 111, 115104 (2025))上。
 
  HfO2作為一種具有良好互補金屬氧化物半導(dǎo)體兼容性的鐵電材料,在半導(dǎo)體存儲器、低功耗邏輯器件等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。研究表明,HfO2在常壓下沒有鐵電性,通過應(yīng)變或摻雜等方式可誘導(dǎo)其轉(zhuǎn)變?yōu)榉侵行膶ΨQ的正交相,從而產(chǎn)生鐵電性,這說明其鐵電性與晶體結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。高壓是調(diào)控材料結(jié)構(gòu)、研究構(gòu)效關(guān)系的有力手段。然而,目前對于HfO2在低壓區(qū)是否存在結(jié)構(gòu)相變?nèi)源嬖跔幾h,尤其是通過高壓拉曼光譜和高壓X射線衍射光譜兩種實驗技術(shù)得到的結(jié)論存在沖突,這阻礙了對HfO2的結(jié)構(gòu)和物性的進一步理解。因此,研究團隊引入了另一種高壓實驗技術(shù)——電輸運,同時結(jié)合高壓拉曼光譜實驗和第一性原理計算,對HfO2在低壓區(qū)的相變給出了明確解答。
 
  基于金剛石對頂砧裝置高壓技術(shù),研究人員發(fā)現(xiàn),壓力下HfO2的原位電輸運、拉曼光譜實驗和第一性原理計算結(jié)果之間能夠很好的契合。HfO2在低壓區(qū)(3.5?±?0.5 GPa)由單斜相轉(zhuǎn)變?yōu)檎籌相,并在15.2 ±?0.6 GPa時進一步轉(zhuǎn)變?yōu)檎籌I相。此外,研究團隊還對摻雜5%釔的HfO2進行了研究,發(fā)現(xiàn)摻雜可以進一步降低HfO2的相變壓力。該研究解答了關(guān)于HfO2低壓區(qū)壓力誘導(dǎo)結(jié)構(gòu)相變的爭議,并為深入理解其結(jié)構(gòu)與電輸運特性之間的關(guān)系提供了參考。
 
  該工作由合肥物質(zhì)院、西南交通大學(xué)、安慶師范大學(xué)和中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)合作完成。其中,丁俊峰研究員、劉其軍教授和程鵬博士為論文共同通訊作者,博士生潘孝美為論文第一作者。上述工作得到了國家自然科學(xué)基金的支持。
 
圖1.高壓電輸運實驗示意圖。
 
  圖2.?摻雜5%Y-HfO2在高壓下的I-V曲線(a) ,電阻隨壓力的變化(b)。
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