中國科學家8日在美國《科學》雜志上報告說，他們在集成電路的基本單元晶體管研究上取得突破，發明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎微電子器件，可讓數據擦寫更容易、迅速，整個過程都可在低電壓條件下完成，為實現芯片低功耗運行創造了條件。

研究負責人、復旦大學教授王鵬飛介紹，金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）是目前集成電路中的主流器件，過去幾十年工藝的進步讓MOSFET晶體管的尺寸不斷縮小，越來越接近其物理極限，基于新結構和新原理的晶體管成為當前業界急需。半浮柵晶體管的前瞻研究就是在這種情況下展開。

據了解，半浮柵晶體管不但能應用于存儲器，還可應用于主動式圖像傳感器芯片（APS），讓新型圖像傳感器單元在面積上能縮小20%以上，并使圖像傳感器的分辨率和靈敏度得到提升。